電參數(shù)測(cè)試

分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：檢測(cè)最大電壓：2000V 檢測(cè)最大電流：200A；

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at   range of VGS

ID vs.VGS at   fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS   at fixed ID

RDS vs.ID at   several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a   range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：7000V，檢測(cè)最大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開(kāi)關(guān)特性測(cè)試（Switch）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V 檢測(cè)最大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開(kāi)通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開(kāi)通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復(fù)測(cè)試（Qrr）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V 檢測(cè)最大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V 檢測(cè)最大電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V 檢測(cè)最大電流：10000A

試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測(cè)最大電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容

C-V曲線掃描

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg

極限能力測(cè)試

正向浪涌電流測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶(hù)自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗(yàn)參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i²t

雷擊浪涌

非標(biāo)

雪崩耐量測(cè)試（UIS）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶(hù)自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V，檢測(cè)最大電流：200A

試驗(yàn)參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測(cè)試

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB   4793.1-2007；

試驗(yàn)對(duì)象：Si、SiC·MOSFET；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V，檢測(cè)最大電流：200A

功率老煉

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?50℃；電壓5000V；

高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ   ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?50℃；電壓100V；

高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ   ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?5℃，濕度范圍：25%~95%，電壓4500V；

功率老煉測(cè)試

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè)最大電壓：4500V，檢測(cè)最大電流：200A

間歇壽命試驗(yàn)（IOL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：ΔTj≧100℃ 電壓最大60V，電流最大50A。

功率循環(huán)試驗(yàn)（

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT模塊；

檢測(cè)能力：ΔTj=100℃，電壓最大30V，電流最大1800A；

熱阻測(cè)試（

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗(yàn)對(duì)象：各類(lèi)二極管；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻